단일벽 탄소나노튜브(single walled carbon nanotube ; SWNT) 및 다중벽 탄소나

노튜브 시료로부터 고순도 반도체 탄소나노튜브를 정제해낼 수 있는 기술이 영국 옥

스포드대학(Oxford University) 연구진에 의해 개발되었다.

디지털 시대를 대표하는 인텔사의 공동 창업자 고든 무어(Gordon Moore)는 마이크

로칩 기술 발전 속도에 대해 ‘마이크로칩이 저장할 수 있는 데이터의 양이 18개월마

다 2배씩 증가한다’는 무어의 법칙(Moore''s Law)을 주장한 바 있다. 

무어의 법칙은 이미 많은 실제 예에서 증명된 바 있지만, 이제는 그 한계에 근접해 

있는 실정이다. 실리콘 소재 기술에 기초를 두고 있는 현대 마이크로칩 기술은 20년 

넘게 무어의 법칙이 예견한 추세를 잘 보여주고 있었다. 하지만 이제 그 발전은 실리

콘 소재의 양자역학적 한계에 근접하고 있는 것이다. 실리콘 소재 기술의 한계를 근

본적으로 극복할 수 있는 새로운 소재나 대체기술의 발견 없이는 더 이상의 반도체

산업 발전도 기대하기 어려운 실정인 것이다.

반도체 탄소나노튜브의 발견은 고전을 면치 못하고 있는 반도체산업에 희망을 불어 

넣는 게기가 되고 있다. 반도체 탄소나노튜브는 실리콘 소재처럼 도핑(dopping)이 

가능하기 때문에 가장 유력한 실리콘 대체 소재로 부각되고 있는 것이다. 게다가 나

노튜브는 전기적 성질이 매우 우수하고 크기가 아주 작기 때문에 탄소나노튜브를 채

용할 경우 트랜지스터의 크기를 기존에 1/500 수준까지 줄일 수 있다.

하지만 반도체 탄소나노튜브를 이용한 마이크로칩 생산기술을 개발하기 위해선 커

다란 기술적 장벽하나를 해결해야만 한다. 바로 그것은 순수한 형태의 반도체 탄소

나노튜를 정제할 수 있는 기술을 개발해야 한다는 것이다. 기존의 탄소나노튜브 합

성기술은 반도체 탄소나노튜브와 금속성 탄소나노튜브가 혼합된 형태의 탄소나노튜

브의 합성만이 가능하기 때문이다. 

옥스퍼드대학 연구진이 개발한 신기술은 금속성 탄소나노튜브와 반도체 탄소나노튜

브 혼합물로부터 반도체 탄소나노튜브를 분리해낼 수 있는 방법이다. 신기술을 이용

하면 탄소나노튜브 혼합물로부터 금속성 탄소나노튜브와 흑연 불순물을 손쉽게 제

거할 수 있다고 한다. 연구진은 신기술을 이용해서 순도 90% 이상의 반도체 탄소나

노튜브 제조에 성공했으며, 계속해서 반도체 탄소나노튜브의 순도를 향상시킬 수 있

는 방향으로 정제기술을 개선해나갈 계획인 것으로 알려졌다.(그림 1) 연구진의 설

명에 따르면 새로운 반도체 탄소나노튜브 정제기술은 단일벽 탄소나노튜브 및 다중

벽 탄소나노튜브 모두에 적용이 가능하다고 한다.

옥스퍼드 대학은 ISIS 이노베이션(ISIS Innovation Ltd)社를 통해 이 기술에 대한 특

허를 출원한 것으로 알려졌다. 때문에 이 기술은 기술이전이나 기술사용계약을 통해

서만 활용이 가능하다. ISIS 이노베이션社은 옥스퍼드대학에서 개발된 연구성과의 

상용화를 위해 설립된 회사로 본 기술의 이용에 관한 모든 내용은 ISIS 이노베이션社

(http://www.isis-innovation.com/index.html)에 문의하시기 바랍니다. 

정보출처   http://www.isis-innovation.com/licensing/1245.html