남부 갤리포니아 대학의 연구원들은(University of Southern California) 화학증착 방

법을 사용하여 나노튜브 통합 회로와 센서 배열에 사용할 수 있는 a-면(plane)과 r-

면 사파이어 위에 배향된, 고밀도 단일벽 탄소 나노튜브를 대면적으로 성장시켰다.

(Han et al., J.Am.Chem.Soc. (2005) 127 (15), 5294)

나노튜브가 장치 내에 무질서하게 배향될 때 전자는 한 나노튜브에서 다른 나노튜브

로 도약하는 것이 가능하여 전극들 사이에 간접적인 통로를 가지게 되기 때문에 배

열된 단일벽 나노튜브는 흥미로운 물질이 된다. 단일벽 나노튜브가 보다 배향성을 

가질 때 전자들은 훨씬 직접적으로 흐르게 되고 저항도 적게 된다.

연구팀은 그들이 개발한 방법이 전기장이나 가스 흐름의 도움에 의존하는 기술을 포

함한, 나노튜브를 배향하기 위해 현재 사용하고 있는 방법보다 훨씬 더 빠르고 훨씬 

더 쉽다고 말한다. “이전의 제조방법은 두 단계였다.: 나노튜브를 위치시키는 것과 

장비를 패터닝하는 것. 우리는 어느 위치에나 나노튜브를 위치할 수 있기 때문에 나

노튜브를 위치시키는 단계를 제거하였다.”라고 남부 갤리포니아 대학의 Chongwu 

Zhou는 말한다. 배향된 나노튜브 배열(array)은 사파이어의 다른 결정학 면에서는 

보이지 않는다.: m-면은 어떤 특별한 배향을 보이지 않고 c-면은 무질서하게 배향

된 나노튜브를 가진다. 연구원들은 방향을 가진 성장이 나노튜브와 결정성 구조 사

이의 상호반응에 의해 야기된 것으로 믿고 있다. 

  정보출처   MaterialsToday 7월호 13쪽  

  원문언어   영어 

  출판날짜   2005년 07월 04일 

  국      가   미국 

  주제분야   무기화학(C14) 

  원본파일    http://techtrend.kisti.re.kr/down.jsp?

gubun=trend&down_url=/upload/sohankier/MaterialsToday_200507_p13.pdf