인피니온 테크놀로지 AG는 직접회로에 사용될 더 작고 강력한 구조를 만들기 위한 

끊임없는 노력 끝에 큰 성과를 이루어냈다. Munich 연구소의 연구자들은 채널 길이 

18나노미터의 세계에서 가장 작은 나노튜브 트랜지스터를 만들어낸 것이다. 현재 생

산되고 있는 가장 뛰어난 트랜지스터는 거의 네 배에 해당하는 크기를 갖는다. 연구

자들은 그들의 나노튜브 트랜지스터를 만들기 위해 직경 0.7-1.1 나노미터의 탄소나

노튜브들을 성장시켰다. 인간의 머리카락은 이것보다 10만 배 이상 두껍다.

탄소나노튜브는 그들의 특성 덕분에 마이크로전자공학의 여러 분야에 이상적인 물

질로 여겨지고 있다. 튜브는 ''탄도형'' 전자 수송 능력 덕분에 튜브 표면의 마찰력에 

방해받지 않고 전류를 흘려보낼 수 있다. 그 결과, 구리선보다 1000배나 큰 전류를 

수송할 수 있다. 더욱이 나노튜브들은 전도체이면서 반도체일 수 있다. 인피니온은 

탄소나노튜브 개발의 개척자 중 하나로, 정확한 위치에 나노튜브를 성장시키는 방법

과 큰 전류를 스위칭 할 트랜지스터를 만드는 방법을 처음으로 보여준 반도체 회사

다. 

[그림] 고해상도 주사전자 현미경은 소스와 드레인 접점과 개별적인 탄소 나노튜브

가 18나노미터의 채널을 갖는 세계에서 제일 작은 나노튜브 트랜지스터를 보여주고 

있다.

이제 막 발표된 나노튜브 트랜지스터는 단지 0.4V(일반적인 표준값은 0.7V)의 공급

전압에서 15마이크로 암페이의 전류를 수송할 수 있다. 전류 밀도는 표준 물질인 실

리콘보다 10배 이상이다. 인피니온의 연구자들은 시험 결과에 근거해 과거와 같은 

속도로 트랜지스터를 소형화할 수 있다고 확신하고 있다. ITRS가 2018년이 되어야 

도달할 수 있을 것으로 예상하는 0.35V의 낮은 공급 전압은 탄소나노튜브를 이용할 

경우에 쉽게 실현될 수 있을 것이다. 이번 연구는 독일 연방교육연구부의 재정지원

을 받았다. 

정보출처   http://www.physorg.com/news2072.html