집적회로에서 전자이동(electromigration)은 전류 밀도가 증가함에 따라 심각하게 

부각된다. 일본의 연구진은 이를 해결하기 위해 탄소 나노튜브(carbon nanotube)

의 이용을 최근에 개발하였다.

후지쯔(Fujitsu) 연구진은 집적회로 내에 있는 금속 연결 층(via linking metal 

layers)을 제조하기 위해 탄소 나노튜브를 이용하였다. 연구 결과는 올해 초 일본 나

노텍 2005(Japan Nano Tech 2005) 학회에서 논의되었다.

2 마이크로미터 바이어스(vias) 내에 묶여진 다중 벽 나노튜브는 구리보다 네배의 

저항을 갖는 텅스텐과 동일한 총저항을 나타낸다.

이러한 단점에도 불고하고 나노튜브가 전자이동에 문제가 없다는 사실은 집적회로

에서의 실제 사용을 가능케 한다.

M. Nihei 연구진의 “내부 껍질의 병렬 채널 전도를 지닌 저저항 다중벽 탄소 나노튜

브 바이어스(Low-Resistance Multi-Walled Carbon Nanotube Vias with Parallel 

Channel Conduction of Inner Shells)”라는 제목의 논문은 6월에 개최되는 IEEE 국

제 회선 기술 학회(IEEE International Interconnect Technology Conference)에서 

발표될 것이다.

후지쯔는 2002년 7월에 장치 연결 도구로써 나노튜브를 최초로 언급하였다.

[그림 설명]

금속 연결 층 내의 나노튜브.

  정보출처   http://www.electronicsweekly.com/articles/article.asp?

liArticleID=39730&liArticleTypeID=1&liCategoryID=1&liChannelID=109&liFlavourID=

1&sSearch=&nPage=1  

  원문언어   영어 

  출판날짜   2005년 05월 19일 

  국      가   미국 

  주제분야   화학일반(C11) 

  원본파일   http://techtrend.kisti.re.kr/down.jsp?

gubun=trend&down_url=/upload/attssa/Nanotubes cut copper creep.doc