탄소 나노튜브가 트랜지스터, 인버터와 스위치를 포함한 다양한 종류의 나노 회로 

구성요소로 성공적으로 만들어지고 있다. 현재 몇몇 과학자들이 탄소 나노튜브를 이

용하여 기본적인 플래시 메모리(Flash memory) 소자를 만들었다. 

 

이러한 소자는 아직도 시장에 내놓을 만큼의 제품으로 만들어지지 못하였지만, 탄

소 나노튜브를 이용한 전자 소자에 획기적인 장을 마련할 것으로 보인다.

 

기존의 소자는 매우 낮은 동작 전압과 온도에서만 작동하였지만, 이번에 홍공 폴리

텍 대학(Hong Kong Polytechnic University)의 지안 다이(Jiyan Dai) 연구팀이 개

발한 소자는 상온에서 동작하는 우수한 성능을 보였다. 이러한 것으로 탄소 나노튜

브가 실제로 플래시 메모리 소자에 적용될 수 있는 가능성을 보여주었다.

 

현재의 플래시 메모리 소자는 디지털 카메라, USB 메모리 소자와 핸드폰과 같은 다

양한 종류의 전자 소자에 정보 저장용으로 사용된다. 플래시 메모리 소자는 지속적

인 전력의 공급 없이도 정보를 저장할 수 있는 비휘발성(non-volatile) 메모리 형태

이다.

 

기존의 플래시 메모리는 셀(cell)이라 부르는 트랜지스터 망 사이에 정보를 저장하

게 된다. 각각의 셀이 중간의 절연체 산화물 박막층에 의하여 분리되고 제어 게이트

와 플로팅 게이트(floating gate)의 3중 층으로 구성되어 있다.

 

전압이 셀에 가해지면, 전자들이 음의 전하를 플로팅 게이트 내에서 띄게 된다. 어

떤 특정 전하에서 플로팅 게이트가 닫히고 0으로 인식하게 된다. 또한 전하가 어떤 

특정 수준 이하로 떨어지면, 게이트는 열리고 셀은 1로 인식하게 된다. 이러한 원리

로 인하여 하나의 정보 비트(bit)를 구성하게 된다.

 

다이(Dai) 교수와 그의 연구원들은 이러한 연구 결과를 과학 저널인 ''응용 물리학 레

터(Applied Physics Letters)'' 온라인 판으로 출판하였다.

 

자세한 내용은 첨부한 논문(“Memory effects of carbon nanotubes as charge 

storage nodes for floating gate memory applications,” Applied Physics Letters 

88, 113104 (2006))을 참조하기 바란다. 

 

그림 설명: (a) 플래쉬 메모리 소자 구조 개략도, (b) 탄소 나노튜브(CNT)가 있는 투

과 전자 현미경(transmission electron microscope) 사진

 

 

 

  정보출처   http://www.physorg.com/news63291916.html  

  원문언어   영어 

  출판날짜   2006년 04월 03일 

  국      가   미국 

  주제분야   전자재료(K13) 

  원본파일   http://techtrend.kisti.re.kr/down.jsp?

gubun=trend&down_url=/upload/jeongwon/Memory effects of carbon 

nanotubes.pdf